60V10.8AダイオードトランジスタFETSDMT6009LSS-13シングルMOSFETNチャネル
60V 10.8Aダイオードトランジスタ、DMT6009LSS-13、トランジスタFET DMT6009LSS-13
,DMT6009LSS-13
,Transistors FETS DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13単一MOSFET Nチャネル60V 10.8Aのトランジスター
FETS MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2の分離した半導体
DMT6009LSS-13指定:
部品番号 | DMT6009LSS-13 |
部門
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分離した半導体製品
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単一トランジスター- FETs、MOSFETs -
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Mfr
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組み込まれるダイオード
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シリーズ
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-
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パッケージ
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テープ及び巻き枠(TR)
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部分の状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET (金属酸化物)
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流出させなさいに源の電圧(Vdss)
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60ボルト
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現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
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10.8A (Ta)
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ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
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4.5V、10V
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(最高) @ ID、VgsのRds
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9.5mOhm @ 13.5A、10V
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Vgs ((最高) Th) @ ID
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2V @ 250µA
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ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
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33.5 NC @ 10ボルト
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Vgs (最高)
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±20V
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入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
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1925 pF @ 30ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失(最高)
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1.25W (Ta)
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実用温度
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-55°C | 150°C (TJ)
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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8-SO
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パッケージ/場合
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8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
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基礎プロダクト数
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DMT6009
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関連製品:
DMT6009LSS-13特徴
*ガラス不動態化された破片
*作り付けのストレイン・レリーフ
*低いインダクタンス
*最も高いピークの逆の電力損失
*低い逆の漏出
*人体モデルごとのクラス3 (> 20のkV)のESDの評価
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